三氧化二铈
中文名：三氧化二铈
CAS：1345-13-7
中文别名：氧化铯;三氧化二铈;三氧化二铈(我们没有这个有的是二氧化铈三氧化二铈不稳定,时间久了就变成二氧化铈CAS:1306-38-3)
英文名：CERIUM OXIDE
性质：熔点;2600℃ 密度;7.132 形态 yellow-green cubic crystals
用途：化学性质;浅黄白色立方体粉末。不溶于水，不易溶于无机酸。用途;主要用作玻璃脱色剂、抛光剂，也是制备金属铈的原料
产品类别：无机盐

碲化砷
中文名：碲化砷
CAS：12044-54-1
中文别名：碲化砷;碲化砷,99%(METALSBASIS);碲化砷,99.999%(METALSBASIS);碲化砷,99%;碲化砷(III);碲化砷(III),99.999%(METALSBASIS);碲化砷(III),99%(METALSBASIS);碲化砷(III),痕量分析
英文名：ARSENIC (III) TELLURIDE
性质：熔点;>300℃(lit.) 密度;6,5 g/cm3 形态 Powder CAS 数据库 12044-54-1(CAS DataBase Reference)
用途：硫族化合物
产品类别：无机盐

硒化锗
中文名：硒化锗
CAS：12065-10-0
中文别名：硒化锗(II);硒化锗
英文名：GERMANIUM SELENIDE
性质：熔点;670℃(lit.) 密度;5.6 g/mL at 25℃(lit.) 形态 gray orthorhombic crystals or brown powder
用途：概述硒化锗一种正交晶系离子性晶体，具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。硒化锗分类根据晶型结构分类，可分为：α-GeSeβ-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型，它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体.β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。
产品类别：无机盐

实力厂家：
三氧化二铈 1345-13-7
氧化铪 12055-23-1
七氧化二铼 1314-68-7
氧化铽 12036-41-8
氧化镨 12037-29-5
氧化钯 1314-08-5
二氧化碲 7446-07-3
氧化镧 1312-81-8
氧化镝 1308-87-8